相比以往的传统硅半导体材料

发布时间:2019-02-02 13:43:38 阅读量:151693  

研究团队表示,二硒化钨能够在单化合原子层的厚度(约0.7奈米)内展现绝佳的半导体传输特性,相比以往的传统硅半导体材料,除了厚度上已超越三奈米的制程极限外,可完全满足次世代积体电路所需更薄、更小、更快的需求。

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2015年6月他放下工作,订下骑10万公里、走遍百国的目标。